2N7000,126 دیتاشیت

2N7000 Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2N7000 Datasheet
حجم فایل 281.212 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت 2N7000 Datasheet-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: TrenchMOS™
  • Packaging: Tape & Box (TB)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Base Part Number: 2N70
  • detail: N-Channel 60V 300mA (Tc) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3

محصولات مشابه